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  • 所属分类:共溅薄膜制备
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2022-10-02 15:38:24
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

设备用途:

CKG-60三靶共溅薄膜制备系统金属和合金薄膜、半导体薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等电介质薄膜、新型功能薄膜、多层薄膜、多元弥散复合膜的制备。

主要配置及特点:

主要由不锈钢真空室,真空及测量系统,供气及流量控制系统,多样品转台(加热、水冷、多层膜),膜厚仪,磁控靶(RF&DC),射频、直流电源,电气控制系统以及水冷系统等组成。采用磁控溅射方式沉积薄膜,可用于制备半导体薄膜、金属薄膜、磁性材料薄膜,以及氧化物、氮化物薄膜等电介质薄膜。工作方式包括单靶独立溅射沉积、程控轮流分层溅射沉积多层膜、三靶共溅射沉积弥散复合膜等。本系统所制备薄膜的均匀性较好(±5%)。

技术指标:

1)真空系统采用机械泵-涡轮分子泵复合系统,30分钟真空度可达到6×10-4 Pa;

2)经48小时连续烘烤(120℃),磁控溅射室优于8×10-6 Pa;

3)溅射功率:<3000W;

4)基片加热温度:室温~800℃;

5)基片Z 高偏压:-200V;

6)膜厚不均匀性:±5%范围内;

7)靶片直径:76mm;

8)样品直径:76mm。

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